產品介紹
高內聚力相變矩陣・極低熱阻裸晶散熱材料
PCM-R8 採用強化相變矩陣，室溫為固態可自立片材，於工作溫度與鎖附壓力下軟化並濕潤界面。相較一般相變片，R8 在相變後仍保有更高內聚力與結構完整性，可在受限 BLT 或非理想貼合的散熱模組中，降低界面空氣、熱阻、過熔與泵出風險。
導熱 / 熱阻：8.5 W/m-K；熱阻 0.08 °C-cm²/W @ 10 psi、0.04 °C-cm²/W @ 50 psi
相變與 BLT：約 45–70°C 相變軟化，最低 BLT 可達 22 µm
材料類型：填充型非矽系熱塑性相變導熱片，室溫固態、可裁切與自動化貼附
核心優勢：高內聚力相變結構可抑制過度流動，降低泵出、乾化與長期界面劣化。
性能定位與熱管理價值
PCM-R8 以 8.5 W/m-K 與 0.08 °C-cm²/W @ 10 psi 的低熱阻表現為核心，搭配最低 22 µm BLT，可在低鎖附壓力下建立薄型且穩定的熱傳界面。此產品特別適合最終貼合厚度受機構限制、熱源與散熱件並非完全一對一接觸的模組設計，協助降低界面熱阻並提升長時間運作下的散熱一致性。
材料於室溫維持固態自立片材型態，利於裁切、貼附與自動化定位；進入工作溫度後再於壓力下完成界面濕潤。這種固態操作、相變貼合的特性，可兼顧乾淨製程、薄型 BLT、可控間隙與低污染風險，作為散熱膏與傳統相變墊片的可靠替代方案。
高內聚力相變結構
R8 的強化相變矩陣在約 45–70°C 軟化後，能濕潤微觀表面孔隙並排除界面空氣，同時維持較高內聚力與材料連續性。材料不易因相變而過度流動或離散，可降低過熔、泵出、乾化與長期界面劣化風險，對高功率循環與長期可靠性更有利。
建議應用情境
PCM-R8 適用於 AI 訓練叢集、超大規模資料中心處理器、HPC 裸晶 CPU/GPU、筆記型電腦散熱模組、航太航電高功率電子、車用功率模組、光電與雷射系統。其材料特性特別適合需要高導熱、低界面熱阻、高內聚力與長期穩定性的產品設計。
